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元件参数资料
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参数目录40356
> IRFSL4510PBF MOSFET N CH 100V TO262
型号:
IRFSL4510PBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N CH 100V TO262
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRFSL4510PBF PDF
标准包装
50
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
-
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
13.9 毫欧 @ 37A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
87nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
3180pF @ 50V
功率 - 最大
140W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-262-3(直引线)
供应商设备封装
TO-262
包装
管件
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